东芝与西数正在研发128层重叠3D TLC,写入速度翻_黄大仙论坛
东芝与西数正在研发128层重叠3D TLC,写入速度翻
更新时间:2019-03-08
 

预计东芝与西数会在2020年末开始投产128层堆叠的BiCS-5闪存,而产能应该在2021年才会提上去,届时才华看到对应的SSD产品。

今年64层堆叠的3D TLC闪存已经是SSD市场的绝对主流,用96层堆叠闪存的SSD也开端上市了,厂商们已经向更高层的128层堆叠进军,在年初的2019闪存峰会上SK海力士还有国内的长江存储已经宣布了他们的开发计划,当初东芝与西数的128层重叠闪存盘算也泄露了出来。

BiCS 5的闪存单die采取4 Planes设计,而与2 Planes设计比拟写入速度从66MB/s晋升到132MB/s,这以为着SSD在SLC Cache用光之后TLC的原始写入速度会变得不会那么争脸,不过具体的写入速度表现还得看主控的算法,假如用全盘SLC Cache的打算,Cache用光后依然没法看。

Blocks & Files已经拿到了东芝与西数的128层堆叠3D NAND的部分资料,它将会被命名为BiCS 5,而96层堆叠的3D NAND则名为BiCS 4,128层堆叠闪存将会应用CuA设计,逻辑电路层在芯片的底部,而数据层则堆叠在上方,与非CuA技能比较这可把芯片尺寸缩小15%。目前公布出来的128层重叠3D NAND利用TLC设计,存储密度濒临96层堆叠的3D QLC,存储密度比自家的96层堆叠3D TLC提升了29.8%,如果采用QLC设计的话存储密度会更高。